Cours de radioamateur








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8.1.5. Le multimètre



Dans la pratique, ampèremètre, voltmètre et ohmmètre sont intégrés dans un seul et même appareil appelé multimètre. L'exemple ci-dessous représente le schéma d'un multimètre UTS001 de Philips.
La partie ampèremètre est dessinée en bleu. R1 à R6 sont les résistances shunt utilisées pour les diverses gammes de courant. On remarque la sortie spéciale "3 A" pour éviter de faire passer un tel courant dans le commutateur S1.
La partie voltmètre est dessinée en rouge. R11 à R18 sont les résistances additionnelles utilisées dans la partie voltmètre.
R7 à R10 ainsi que R1 à R6 interviennent pour l'ohmmètre.
S1 est le commutateur de gamme, tandis que S2 est le commutateur continu/alternatif.

Les figures b, c et d représentent les schémas équivalents du galvanomètre et de ces circuits connexes.
frame18

8.1.6. Le voltmètre électronique



Les multimètres ordinaires ont une résistance interne de l'ordre de 20 à 50 k/V. Ceci est dans certains cas trop faible. On a alors recours au montage ci-dessous qui représente un voltmètre électronique tel que représenté ci-dessous. Il s'agit d'un amplificateur différentiel à transistors FET. Ce voltmètre à une sensibilité maximale de 0,5 V et sa résistance d'entrée est supérieur à 10 M
frame19


8.1.7. Le transistormètre



Bien qu'il soit possible de vérifier les diodes et les transistors à l'aide d'un simple multimètre, la méthode (voir plus loin § 8.13.5.2) n'est que fort incomplète.
Tout d'abord, pour les transistors bipolaires (= jonctions) il manque deux paramètres importants :
a) le courant ICBO qui est en quelque sorte le courant de fuite du transistor. Ce courant doit être aussi faible que possible, mais il dépend aussi de la température. Une valeur typique est de 1µA pour les transistors Si de faible puissance (genre 2N2222) et de 10 µA pour les transistors au Ge.
b


Figure 8.1.18.
) le gain en courant ou facteur  ou facteur hFE.

Le montage de la figure ci-contre est une première approche. Grâce à S1 on peut inverser les polarités et donc choisir entre NPN et PNP. Dans le collecteur on trouve un milliampèremètre de 10 mA.
A l'aide de S3 on peut mesurer le courant de fuite ou le et à l'aide de S2 on peut injecter des courants de bases de 1µA, 10 µA ou 100 µA, en d'autres termes, on peut mesurer le facteur hFE () du transistor.

Toutefois, le montage de la figure suivante est plus élaboré, il permet de déterminer le type de transistor et il permet de mesurer les paramètres ICEO et hFE. Les figures b, c et d donnent les schémas équivalents.
Dans l'exemple ci-dessous, on injecte un courant de 20 µA dans la base et on mesure le courant de collecteur. Avec la R6, la lecture du courant de collecteur est de 5 mA fond d'échelle. Donc si on mesure 16 µA, cela correspond en réalité à un IC = 1,6 mA et donc hFE = 1,6 m / 20µ = 80.
frame21


Mais il y a aussi les transistors à effet de champ, que l'on ne peut pas mesurer avec un multimètre. Le montage de la figure ci-contre permet de vérifier des transistors FET ou MOSFET.
Grâce à S1 on peut inverser les polarités et donc choisir entre canal N et canal P. Dans le drain on trouve un milliampèremètre de 10 mA.
frame22
A l'aide de P1 on peut appliquer une tension variable sur la grille. Dans le cas d'un MOSFET à appauvrissement cette tension sera opposée à celle entre drain et source et dans le cas d'un MOSFET à enrichissement cette tension sera de même sens que celle entre drain et source.
Lorsque le transistor FET ou MOSFET est bon il ne conduit pas lorsque la tension est faible (ou nulle) et puis, lorsqu'on augmente la tension entre source et gâchette il se met à conduire..

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